产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N65X2
仓库库存编号：
IXTK120N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） TO-264
型号：
IXFK120N65X2
仓库库存编号：
IXFK120N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH160N4LF6-2
仓库库存编号：
497-15466-1-ND
别名：497-15466-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP030N06B_F102
仓库库存编号：
FDP030N06B_F102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-2AG
仓库库存编号：
497-15467-1-ND
别名：497-15467-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-6AG
仓库库存编号：
497-15468-1-ND
别名：497-15468-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
型号：
BUK6E3R2-55C,127
仓库库存编号：
1727-5888-ND
别名：1727-5888
568-7505-5
568-7505-5-ND
934064473127
BUK6E3R2-55C,127-ND
BUK6E3R255C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 130W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STLD125N4F6AG
仓库库存编号：
497-17147-1-ND
别名：497-17147-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB088N08
仓库库存编号：
FDB088N08CT-ND
别名：FDB088N08CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
型号：
BUK6E2R3-40C,127
仓库库存编号：
1727-5887-ND
别名：1727-5887
568-7504-5
568-7504-5-ND
934064472127
BUK6E2R3-40C,127-ND
BUK6E2R340C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名：SP000680650
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI024N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI024N06N3GXKSA1-ND
别名：SP000680644
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40010EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40010EL_GE3CT-ND
别名：SQM40010EL_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40031EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40031EL_GE3CT-ND
别名：SQM40031EL_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB100NF04T4
仓库库存编号：
497-5951-1-ND
别名：497-5951-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI030N06
仓库库存编号：
FDI030N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N30P3
仓库库存编号：
IXFK120N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB120N50P2
仓库库存编号：
IXFB120N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFS7440TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7440TRLPBFCT-ND
别名：IRFS7440TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK664R8-75C,118
仓库库存编号：
1727-5527-1-ND
别名：1727-5527-1
568-7006-1
568-7006-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB120N04S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S402ATMA1CT-ND
别名：IPB120N04S402ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
型号：
BUK763R1-60E,118
仓库库存编号：
1727-7252-1-ND
别名：1727-7252-1
568-9881-1
568-9881-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名：IPB120N04S401ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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