产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(433)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(433)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor(30)
Infineon Technologies(143)
IXYS(46)
Nexperia USA Inc.(64)
NXP USA Inc.(33)
ON Semiconductor(3)
STMicroelectronics(75)
Vishay Siliconix(39)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB027N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB027N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPB027N10N3 GCT
IPB027N10N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
型号：
BUK765R0-100E,118
仓库库存编号：
1727-7135-1-ND
别名：1727-7135-1
568-9567-1
568-9567-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP160N4LF6
仓库库存编号：
497-15556-5-ND
别名：497-15556-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN120N20
仓库库存编号：
IXFN120N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3306PBF
仓库库存编号：
IRFB3306PBF-ND
别名：SP001556002
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3207ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3207ZPBF-ND
别名：SP001575584
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N25P
仓库库存编号：
IXTK120N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N20
仓库库存编号：
IXFX120N20-ND
别名：IFX120N20
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7440PBF
仓库库存编号：
IRFB7440PBF-ND
别名：SP001566700
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310ZPBF
仓库库存编号：
IRFB4310ZPBF-ND
别名：SP001570588
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7446GPBF
仓库库存编号：
IRFB7446GPBF-ND
别名：SP001566710
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM50028EM_GE3
仓库库存编号：
SQM50028EM_GE3CT-ND
别名：SQM50028EM_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E2R3-40E,127
仓库库存编号：
1727-7242-ND
别名：1727-7242
568-9850-5
568-9850-5-ND
934066416127
BUK7E2R340E127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E1R9-40E,127
仓库库存编号：
1727-1131-ND
别名：1727-1131
568-10286
568-10286-5
568-10286-5-ND
568-10286-ND
934066982127
BUK7E1R9-40E,127-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3306PBF
仓库库存编号：
IRFSL3306PBF-ND
别名：SP001568072
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3207ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB3207ZGPBF-ND
别名：SP001554560
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN4R3-80ES,127
仓库库存编号：
1727-5280-ND
别名：1727-5280
568-6708
568-6708-5
568-6708-5-ND
568-6708-ND
934065164127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E1R8-40E,127
仓库库存编号：
1727-7241-ND
别名：1727-7241
568-9849-5
568-9849-5-ND
934066512127
BUK7E1R840E127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E5R2-100E,127
仓库库存编号：
1727-7247-ND
别名：1727-7247
568-9856-5
568-9856-5-ND
934066518127
BUK7E5R2100E127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN4R3-100ES,127
仓库库存编号：
1727-6500-ND
别名：1727-6500
568-8596-5
568-8596-5-ND
934066116127
PSMN4R3100ES127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP210N75F6
仓库库存编号：
497-11334-5-ND
别名：497-11334-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ120N25X3
仓库库存编号：
IXFQ120N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXFH120N25X3
仓库库存编号：
IXFH120N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-268HV
型号：
IXFT120N25X3HV
仓库库存编号：
IXFT120N25X3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX120N65X2
仓库库存编号：
IXTX120N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
