产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9874-5-ND
别名:568-9874-5
934066631127
BUK9E3R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E4R4-80E,127
仓库库存编号:
568-9875-5-ND
别名:568-9875-5
934066515127
BUK9E4R480E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E6R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9877-5-ND
别名:568-9877-5
934066517127
BUK9E6R1100E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E1R8-40E,127
仓库库存编号:
BUK9E1R8-40E,127-ND
别名:934066586127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号:
BUK761R5-40EJ-ND
别名:934067767118
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3206TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3206TRLCT-ND
别名:AUIRFS3206TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028774
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S403AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S403AKSA2-ND
别名:SP001028768
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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