产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM120N04-1M7L-GE3
仓库库存编号：
SUM120N04-1M7L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF1405ZS-7P
仓库库存编号：
IRF1405ZS-7P-ND
别名：*IRF1405ZS-7P
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF1405ZSTRL-7P
仓库库存编号：
IRF1405ZSTRL-7P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3717PBF
仓库库存编号：
IRLU3717PBF-ND
别名：*IRLU3717PBF
SP001573078
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3307ZPBF
仓库库存编号：
IRFSL3307ZPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRLPBF-ND
别名：SP001567384
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404ZLPBF
仓库库存编号：
IRL1404ZLPBF-ND
别名：SP001552544
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUXAKF1405ZS-7P
仓库库存编号：
AUXAKF1405ZS-7P-ND
别名：IRF1405ZS-7PPBF
IRF1405ZS-7PPBF-ND
SP001518940
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名：IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3 G
仓库库存编号：
IPI032N06N3 G-ND
别名：SP000451490
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3307ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB3307ZGPBF-ND
别名：SP001551736
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
型号：
IPP023NE7N3 G
仓库库存编号：
IPP023NE7N3 GCT-ND
别名：IPP023NE7N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N04S3-02
仓库库存编号：
IPB120N04S3-02CT-ND
别名：IPB120N04S3-02CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI023NE7N3 G
仓库库存编号：
IPI023NE7N3 G-ND
别名：IPI023NE7N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S403AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-03
IPI120N06S4-03-ND
SP000396308
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S403AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-03
IPP120N06S4-03-ND
SP000396380
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3077GPBF
仓库库存编号：
IRFB3077GPBF-ND
别名：SP001555982
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB4310ZGPBF-ND
别名：SP001575544
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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