产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120A（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120P20T
仓库库存编号：
IXTK120P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN140N25T
仓库库存编号：
IXFN140N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 730W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN120N25
仓库库存编号：
IXTN120N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRRPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRRPBF-ND
别名：SP001569116
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3717TRPBF-ND
别名：SP001553200
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名：SP000936514
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名：SP000952816
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717PBF
仓库库存编号：
IRLR3717PBF-ND
别名：*IRLR3717PBF
SP001568638
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7440GPBF
仓库库存编号：
IRFB7440GPBF-ND
别名：SP001577780
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120P04P404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120P04P404AKSA1-ND
别名：SP000842278
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120P04P404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120P04P404ATMA1-ND
别名：SP000842270
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名：SP000979924
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名：SP001028770
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7440PBF
仓库库存编号：
IRFSL7440PBF-ND
别名：SP001573650
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120P04P404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120P04P404AKSA1-ND
别名：SP000842274
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120P04P4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI120P04P4L03AKSA1-ND
别名：SP000842296
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI120N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N04S402AKSA1-ND
别名：IPI120N04S4-02
IPI120N04S4-02-ND
SP000764742
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N08S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S404ATMA1-ND
别名：SP000989094
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名：SP001102592
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名：IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名：SP001028776
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3407ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3407ZPBF-ND
别名：SP001560202
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989096
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028782
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
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