产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(202)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(202)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(10)
Diodes Incorporated(3)
Fairchild/ON Semiconductor(39)
GeneSiC Semiconductor(2)
Global Power Technologies Group(11)
Infineon Technologies(21)
IXYS(8)
Microsemi Corporation(7)
ON Semiconductor(1)
Rohm Semiconductor(7)
STMicroelectronics(39)
Taiwan Semiconductor Corporation(8)
Transphorm(4)
Vishay Siliconix(42)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 178W(Tc) TO-251A
型号:
AOI9N50
仓库库存编号:
785-1455-5-ND
别名:785-1455-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB417EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB417EDK-T1-GE3TR-ND
别名:SIB417EDK-T1-GE3TR
SIB417EDKT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N50
仓库库存编号:
AOTF9N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 236W(Tc) TO-220
型号:
AOT9N70
仓库库存编号:
AOT9N70-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N70
仓库库存编号:
AOTF9N70-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7SAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.13W(Ta),72W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFW630BTM_FP001
仓库库存编号:
IRFW630BTM_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF9N70
仓库库存编号:
AOWF9N70-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 700V 9A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 9A(Tc) 236W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB9N70L
仓库库存编号:
785-1719-1-ND
别名:785-1719-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N90
仓库库存编号:
AOTF9N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRLPBF
仓库库存编号:
IRL630STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRRPBF
仓库库存编号:
IRL630STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83.3W(Tc) TO-220F
型号:
FCP9N60N_F102
仓库库存编号:
FCP9N60N_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号:
FCPF9N60NTYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
AOK9N90
仓库库存编号:
AOK9N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP18N60PM
仓库库存编号:
IXTP18N60PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT9M100B
仓库库存编号:
APT9M100B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 337W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT9F100B
仓库库存编号:
APT9F100B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80Q
仓库库存编号:
IXFH9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT9N80Q
仓库库存编号:
IXFT9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR16N120P
仓库库存编号:
IXFR16N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号:
APT1201R4BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 9A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR10N100Q
仓库库存编号:
IXFR10N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号