产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
FDU8796_F071
仓库库存编号：
FDU8796_F071-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 176W（Tc） TO-220
型号：
SSP45N20B_FP001
仓库库存编号：
SSP45N20B_FP001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 35A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR838DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR838DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR838DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7100DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7100DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 35A（Tc） 5.4W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7447ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7447ADP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 35A（Tc） 5.4W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7447ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7447ADP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ484DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ484DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 35A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 7.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD35N05-26L-E3
仓库库存编号：
SUD35N05-26L-E3CT-ND
别名：SUD35N05-26L-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247
型号：
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号：
APT5014SLLG/TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR482DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS330DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS448DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS448DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR330DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR330DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR330DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH35N30Q
仓库库存编号：
IXFH35N30Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
94-4007
仓库库存编号：
94-4007-ND
别名：*IRLR3303
IRLR3303
IRLR3303-ND
Q811927
SP001519058
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TR
仓库库存编号：
IRLR3303TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303
仓库库存编号：
IRLU3303-ND
别名：*IRLU3303
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRL
仓库库存编号：
IRLR3303TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRR
仓库库存编号：
IRLR3303TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP35N10
仓库库存编号：
SPP35N10IN-ND
别名：SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10
仓库库存编号：
SPB35N10INTR-ND
别名：SPB35N10INTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD35N10
仓库库存编号：
SPD35N10INCT-ND
别名：SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303PBF
仓库库存编号：
IRLU3303PBF-ND
别名：*IRLU3303PBF
SP001577150
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3303PBFCT-ND
别名：*IRLR3303TRPBF
IRLR3303PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10T
仓库库存编号：
SPB35N10T-ND
别名：SP000013627
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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