产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7623DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7623DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7623DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK35A08N1,S4X
仓库库存编号：
TK35A08N1S4X-ND
别名：TK35A08N1,S4X(S
TK35A08N1,S4X-ND
TK35A08N1S4X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB5615PBF
仓库库存编号：
IRFB5615PBF-ND
别名：SP001575534
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT34M120J
仓库库存编号：
APT34M120J-ND
别名：APT34M120JMI
APT34M120JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS430DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS430DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS430DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5014BLLG
仓库库存编号：
APT5014BLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 5W（Ta），37.9W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7686DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7686DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7686DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS778DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS778DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS444DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS444DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.2W TO-252，（D-Pak）
型号：
DMPH6023SK3-13
仓库库存编号：
DMPH6023SK3-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS424DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS424DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS776DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS776DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.2W TO-252，（D-Pak）
型号：
DMPH6023SK3Q-13
仓库库存编号：
DMPH6023SK3Q-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Tc） 1W（Ta），77W（Tc） 8-HSON
型号：
NP35N04YUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP35N04YUG-E1-AYCT-ND
别名：NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUGE1AY
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF70N10
仓库库存编号：
FQPF70N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7328DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7328DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7328DN-T1-GE3TR
SI7328DNT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7104DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7328DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7328DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD35N10-26P-T4GE3
仓库库存编号：
SUD35N10-26P-T4GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7104DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7104DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号：
SQM35N30-97_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH35N60C5
仓库库存编号：
IXKH35N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP35N60C5
仓库库存编号：
IXKP35N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 35A（Tc） 113W（Tc） D2PAK-7
型号：
C3M0065090J-TR
仓库库存编号：
C3M0065090J-TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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