产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2.4W（Ta） 6-SON
型号：
CSD25302Q2
仓库库存编号：
296-25444-1-ND
别名：296-25444-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 132W（Tc） TO-220
型号：
AOT5N60
仓库库存编号：
785-1188-5-ND
别名：785-1188-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD5P06VT4GV
仓库库存编号：
MTD5P06VT4GV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F（LG 成形）
型号：
FDPF5N50TYDTU
仓库库存编号：
FDPF5N50TYDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3879DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3879DV-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3879DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3879DV-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220FI（LS）
型号：
2SK4198LS
仓库库存编号：
2SK4198LS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M006A070F
仓库库存编号：
GP1M006A070F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M006A070FH
仓库库存编号：
1560-1162-5-ND
别名：1560-1162-1
1560-1162-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
2SK4196LS-1E
仓库库存编号：
2SK4196LS-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 104W（Tc） TO-220-3
型号：
AOT5N50_001
仓库库存编号：
AOT5N50_001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTR
仓库库存编号：
IRFR220NTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRL
仓库库存编号：
IRFR220NTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220N
仓库库存编号：
IRFU220N-ND
别名：*IRFU220N
SP001568188
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRR
仓库库存编号：
IRFR220NTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5A（Tc） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL024Z
仓库库存编号：
IRLL024Z-ND
别名：*IRLL024Z
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA50R800CE
仓库库存编号：
IPA50R800CE-ND
别名：IPA50R800CEXKSA1
SP000992084
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R460CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA80R460CEXKSA1-ND
别名：SP001271070
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）,
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