产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI14N80K5
仓库库存编号：
STFI14N80K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
STB14N80K5
仓库库存编号：
STB14N80K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF15NM65N
仓库库存编号：
497-11866-5-ND
别名：497-11866-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF16N65M5
仓库库存编号：
497-8893-5-ND
别名：497-8893-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 170W（Tc） TO-220
型号：
STP15N95K5
仓库库存编号：
497-14218-5-ND
别名：497-14218-5
STP15N95K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
型号：
IXTP12N65X2
仓库库存编号：
IXTP12N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 69W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM80N400CF C0G
仓库库存编号：
TSM80N400CF C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP11N80E-GE3
仓库库存编号：
SIHP11N80E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IXTH12N65X2
仓库库存编号：
IXTH12N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
型号：
STU16N65M5
仓库库存编号：
497-11402-5-ND
别名：497-11402-5
STU16N65M5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW12N120K5
仓库库存编号：
STFW12N120K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT10090BLLG
仓库库存编号：
APT10090BLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS822DNT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS822DNT-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA465EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA465EDJ-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA472EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA472EDJ-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA445EDJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA445EDJT-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA477EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA477EDJ-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA430DJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA430DJT-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y113-100EX
仓库库存编号：
1727-1105-1-ND
别名：1727-1105-1
568-10260-1
568-10260-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4178DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4178DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4176DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4176DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS840EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS840EN-T1_GE3-ND
别名：SQS840EN-T1-GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS850EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS850EN-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA413ADJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4064EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4064EY-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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