产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100Q
仓库库存编号：
IXTH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100
仓库库存编号：
IXTH12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT12N90Q
仓库库存编号：
IXFT12N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100L
仓库库存编号：
IXTH12N100L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX12N90Q
仓库库存编号：
IXFX12N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT12N100
仓库库存编号：
IXFT12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N120
仓库库存编号：
IXFH12N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT10090BFLLG
仓库库存编号：
APT10090BFLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R330P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R330P6ATMA1-ND
别名：SP001364470
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R299CPXKSA1-ND
别名：IPA50R299CP
IPA50R299CP-ND
SP000236079
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R299CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R299CPHKSA1-ND
别名：SP000236070
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名：SP001032726
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名：IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R299CPFKSA1-ND
别名：IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名：SP001297996
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080126
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12PF06
仓库库存编号：
497-2721-5-ND
别名：497-2721-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
STS12NF30L
仓库库存编号：
497-3223-1-ND
别名：497-3223-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
型号：
STS12NH3LL
仓库库存编号：
497-4122-1-ND
别名：497-4122-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD12NF06-1
仓库库存编号：
STD12NF06-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NM50FD
仓库库存编号：
STP12NM50FD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK80Z
仓库库存编号：
STW13NK80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB12NM50FDT4
仓库库存编号：
497-5380-1-ND
别名：497-5380-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 100W（Tc） I2PAK
型号：
STB13NM50N-1
仓库库存编号：
STB13NM50N-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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