产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(566)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/ON Semiconductor(22)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Corporation(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(9)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD96N3LLH6
仓库库存编号：
497-11214-1-ND
别名：497-11214-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 72W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL66N3LLH5
仓库库存编号：
497-12272-2-ND
别名：497-12272-2
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 176W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH110N7F6-2
仓库库存编号：
STH110N7F6-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP95N3LLH6
仓库库存编号：
497-10307-5-ND
别名：497-10307-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 57W（Tc） DPAK
型号：
STD90NS3LLH7
仓库库存编号：
STD90NS3LLH7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 168W（Tc） TO-220
型号：
STP140N4F6
仓库库存编号：
STP140N4F6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD80N4F6
仓库库存编号：
497-13576-1-ND
别名：497-13576-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 168W（Tc） D2PAK
型号：
STB140N4F6
仓库库存编号：
STB140N4F6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 205W（Tc） TO-220
型号：
STP130N8F7
仓库库存编号：
STP130N8F7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF55-08
仓库库存编号：
497-3202-5-ND
别名：497-3202-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB78NF55-08
仓库库存编号：
STB78NF55-08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） DPAK
型号：
STD100N10LF7AG
仓库库存编号：
STD100N10LF7AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB141NF55
仓库库存编号：
STB141NF55-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N10F7
仓库库存编号：
497-14527-1-ND
别名：497-14527-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP140NF55
仓库库存编号：
497-4370-5-ND
别名：497-4370-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF06
仓库库存编号：
497-3201-5-ND
别名：497-3201-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB155N3LH6
仓库库存编号：
497-11323-1-ND
别名：497-11323-1
497-11323-5
497-11323-5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB120N4F6
仓库库存编号：
497-10768-1-ND
别名：497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 113.6W（Tc） TO-220
型号：
TSM80N08CZ C0G
仓库库存编号：
TSM80N08CZ C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB85NF55T4
仓库库存编号：
STB85NF55T4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP80N25X3
仓库库存编号：
IXFP80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA80N25X3
仓库库存编号：
IXFA80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG80N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG80N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-264
型号：
IXFK80N65X2
仓库库存编号：
IXFK80N65X2-ND
别名：IXFK80N65X2X
IXFK80N65X2X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMT2004UPS-13
仓库库存编号：
DMT2004UPS-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
