产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名：IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名：SP001028718
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S4L05ATMA2-ND
别名：SP001028720
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L08AKSA1-ND
别名：SP000840210
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S4L07AKSA2-ND
别名：SP001028668
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S404AKSA1-ND
别名：IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S4L04AKSA1-ND
别名：IPI80N04S4L-04
IPI80N04S4L-04-ND
SP000646192
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名：SP001028678
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028676
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA2-ND
别名：SP001061720
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842042
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L06AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L06AKSA1-ND
别名：SP000842050
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名：SP000652618
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名：SP000840196
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPI80P03P4L-07
IPI80P03P4L-07-ND
SP000396320
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L09AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L09AKSA2-ND
别名：SP001061718
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S2L11AKSA2-ND
别名：SP001061396
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S403AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03-ND
SP000671756
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840200
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 40.5W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI7446GPBF
仓库库存编号：
IRFI7446GPBF-ND
别名：SP001560478
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P405ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
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