产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N20Q
仓库库存编号：
IXFT80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX80N50Q3
仓库库存编号：
IXFX80N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N085
仓库库存编号：
IXFT80N085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 80A（Tc） 555W（Tc） TO-247
型号：
APT80SM120B
仓库库存编号：
APT80SM120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 480V 80A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N48
仓库库存编号：
IXFN80N48-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT80SM120S
仓库库存编号：
APT80SM120S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名：SP001028674
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L08ATMA1-ND
别名：SP000840208
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L08AKSA1-ND
别名：SP000840212
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S4L-04
IPB80N04S4L-04-ND
SP000646180
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028666
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842038
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L06ATMA1-ND
别名：SP000842046
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号：
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名：SP001138828
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842044
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L06AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L06AKSA1-ND
别名：SP000842052
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名：SP001028672
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S4L04AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4L-04
IPP80N04S4L-04-ND
SP000646198
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPP80P03P4L-07
IPP80P03P4L-07-ND
SP000396392
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L11AKSA2-ND
别名：SP001061296
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA2-ND
别名：SP001061398
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3-06
仓库库存编号：
IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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