产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(76)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(76)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(4)
Diodes Incorporated(4)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
Infineon Technologies(17)
IXYS(12)
Microsemi Corporation(1)
Nexperia USA Inc.(6)
NXP USA Inc.(6)
Renesas Electronics America(3)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(1)
STMicroelectronics(6)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 115W（Tc） DPAK
型号：
BUK7215-55A,118
仓库库存编号：
1727-7150-1-ND
别名：1727-7150-1
568-9633-1
568-9633-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） D2PAK
型号：
STB55NF06LT4
仓库库存编号：
497-7462-1-ND
别名：497-7462-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
型号：
STP55NF06L
仓库库存编号：
497-6742-5-ND
别名：497-6742-5
STP55NF06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL2910PBF
仓库库存编号：
IRL2910PBF-ND
别名：*IRL2910PBF
SP001576496
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX55N50
仓库库存编号：
IXFX55N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM080N03EPQ56 RLGTR-ND
别名：TSM080N03EPQ56 RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
别名：TSM080N03EPQ56 RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM080N03EPQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM080N03EPQ56 RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ423EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 55A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 1.6W（Ta）, 53W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMNH6021SPS-13
仓库库存编号：
DMNH6021SPS-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 102W（Tc） DPAK
型号：
BUK6213-30A,118
仓库库存编号：
BUK6213-30A,118-ND
别名：934058001118
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 75V 55A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FKI07076
仓库库存编号：
FKI07076-ND
别名：FKI07072
FKI07072-ND
FKI07076 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 55A（Tc） 72W（Tc） TO-220
型号：
TK35E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK35E08N1S1X-ND
别名：TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） TO-251
型号：
IXTU55N075T
仓库库存编号：
IXTU55N075T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDMS8050
仓库库存编号：
FDMS8050-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL82N60P
仓库库存编号：
IXFL82N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL55N50
仓库库存编号：
IXFL55N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL80N50Q2
仓库库存编号：
IXFL80N50Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD55N4F5
仓库库存编号：
497-10706-1-ND
别名：497-10706-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 55A（Tc） 133W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP55N06
仓库库存编号：
FQP55N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 3.75W（Ta），133W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB55N06TM
仓库库存编号：
FQB55N06TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
详细描述：通孔 P 沟道 60V 55A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA47P06
仓库库存编号：
FQA47P06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 55A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M80JVR
仓库库存编号：
APT60M80JVR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 55A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP55N075T
仓库库存编号：
IXTP55N075T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 55A（Tc） 130W（Tc） TO-252
型号：
IXTY55N075T
仓库库存编号：
IXTY55N075T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
