产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(73)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(73)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(4)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(7)
Infineon Technologies(22)
IXYS(9)
Microsemi Corporation(4)
Nexperia USA Inc.(2)
NXP USA Inc.(1)
Renesas Electronics America(2)
STMicroelectronics(14)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Transphorm(1)
Vishay Siliconix(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 27A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STU27N3LH5
仓库库存编号：
STU27N3LH5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
FDH27N50
仓库库存编号：
FDH27N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 27A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
型号：
FQI27P06TU
仓库库存编号：
FQI27P06TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF44N10
仓库库存编号：
FQPF44N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5018BLLG
仓库库存编号：
APT5018BLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM27N20-78-E3
仓库库存编号：
SUM27N20-78-E3CT-ND
别名：SUM27N20-78-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN035-100LS,115
仓库库存编号：
568-5585-1-ND
别名：568-5585-1
PSMN035100LS115
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5022BNG
仓库库存编号：
APT5022BNG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
94-4762
仓库库存编号：
94-4762-ND
别名：*IRFR4105
IRFR4105
IRFR4105-ND
SP001516332
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 27A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3315
仓库库存编号：
IRF3315-ND
别名：*IRF3315
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105
仓库库存编号：
IRFU4105-ND
别名：*IRFU4105
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TRL
仓库库存编号：
IRFR4105TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TR
仓库库存编号：
IRFR4105TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TRR
仓库库存编号：
IRFR4105TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105PBF
仓库库存编号：
IRFU4105PBF-ND
别名：*IRFU4105PBF
SP001567818
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI35CN10N G
仓库库存编号：
IPI35CN10N G-ND
别名：SP000208936
SP000680730
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP260N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP260N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP260N06N3 G
IPP260N06N3 G-ND
SP000453638
SP000680918
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP35CN10N G
仓库库存编号：
IPP35CN10N G-ND
别名：SP000096473
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218S
仓库库存编号：
AUIRF6218S-ND
别名：SP001516490
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP35CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP35CN10NGXKSA1-ND
别名：SP000680926
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
