产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06L
仓库库存编号:
NTB18N06L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 223W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT15F50K
仓库库存编号:
APT15F50K-ND
别名:APT15F50KMI
APT15F50KMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT15N100Q
仓库库存编号:
IXFT15N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA68T1G
仓库库存编号:
APTM120DA68T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK68T1G
仓库库存编号:
APTM120SK68T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP15N65
仓库库存编号:
FDP15N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF15N65YDTU
仓库库存编号:
FDPF15N65YDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 218W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N50CF_F109
仓库库存编号:
FQA13N50CF_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 48.4W(Tc) D2PAK
型号:
NTB18N06LT4G
仓库库存编号:
NTB18N06LT4GOSCT-ND
别名:NTB18N06LT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV15N100P
仓库库存编号:
IXFV15N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV15N100PS
仓库库存编号:
IXFV15N100PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 37W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN017-30LL,115
仓库库存编号:
568-5580-1-ND
别名:568-5580-1
PSMN01730LL115
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
MKE11R600DCGFC
仓库库存编号:
MKE11R600DCGFC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10P
仓库库存编号:
SPP15P10PIN-ND
别名:SP000014331
SPP15P10PIN
SPP15P10PX
SPP15P10PXTIN
SPP15P10PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PGHKSA1-ND
别名:SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PLGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PLGHKSA1-ND
别名:SP000212234
SPP15P10PL G
SPP15P10PL G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294825
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc),
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