产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(366)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(9)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(357)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(14)
Infineon Technologies(112)
IXYS(67)
Microsemi Corporation(19)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(3)
Panasonic Electronic Components(1)
Renesas Electronics America(5)
Rohm Semiconductor(10)
Sanken(1)
STMicroelectronics(34)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay Siliconix(80)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名：IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP230N06L3 G
仓库库存编号：
IPP230N06L3 G-ND
别名：IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名：SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名：SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3504TRPBFCT-ND
别名：IRFR3504TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名：IRFR3505TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名：SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 110W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR2405
仓库库存编号：
AUIRFR2405-ND
别名：SP001522238
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR2908
仓库库存编号：
AUIRLR2908-ND
别名：SP001518234
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR3915
仓库库存编号：
AUIRLR3915-ND
别名：SP001516276
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名：IPD30N06S2L-13CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
别名：IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
