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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP11N03LA
  仓库库存编号：IPP11N03LA-ND
  别名：IPP11N03LAX
  SP000014986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP13N03LB G
  仓库库存编号：IPP13N03LB G-ND
  别名：IPP13N03LBGX
  SP000064224
  SP000680872
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS10N03LA G
  仓库库存编号：IPS10N03LA G-ND
  别名：IPS10N03LAGX
  SP000015132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS13N03LA G
  仓库库存编号：IPS13N03LA G-ND
  别名：IPS13N03LAGX
  SP000015133
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU10N03LA
  仓库库存编号：IPU10N03LA-ND
  别名：SP000014984
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU10N03LA G
  仓库库存编号：IPU10N03LA G-ND
  别名：IPU10N03LAGX
  SP000017597
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU20N03L G
  仓库库存编号：IPU20N03L G-ND
  别名：IPU20N03LGX
  IPU20N03LGXK
  SP000018246
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD26N06S2L-35
  仓库库存编号：SPD26N06S2L-35-ND
  别名：SP000013570
  SPD26N06S2L35T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2-23-ND
  别名：SP000013596
  SPD30N06S223T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-13-ND
  别名：SP000012478
  SPD30N06S2L13T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-23-ND
  别名：SP000013127
  SPD30N06S2L23T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2-22
  仓库库存编号：SPD30N08S2-22-ND
  别名：SP000013153
  SPD30N08S222T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2L-21
  仓库库存编号：SPD30N08S2L-21-ND
  别名：SP000013152
  SPD30N08S2L21T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2-08
  仓库库存编号：SPU30N03S2-08-ND
  别名：SP000014129
  SPU30N03S208X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU30P06P
  仓库库存编号：SPU30P06PIN-ND
  别名：SP000012844
  SPU30P06P-ND
  SPU30P06PIN
  SPU30P06PX
  SPU30P06PXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB G
  仓库库存编号：IPB13N03LBGINCT-ND
  别名：IPB13N03LBG
  IPB13N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12N03LB G
  仓库库存编号：IPD12N03LBGINCT-ND
  别名：IPD12N03LBG
  IPD12N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N03LGXT
  仓库库存编号：IPD135N03LGXTCT-ND
  别名：IPD135N03LGINCT
  IPD135N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP114N03L G
  仓库库存编号：IPP114N03LGIN-ND
  别名：IPP114N03LGIN
  IPP114N03LGXK
  SP000264168
  SP000680862
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS135N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS135N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS135N03L G
  IPS135N03LGIN
  IPS135N03LGIN-ND
  IPS135N03LGXK
  SP000257455
  SP000788220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N03L G
  仓库库存编号：IPU135N03LGIN-ND
  别名：IPU135N03LGIN
  IPU135N03LGXK
  SP000260752
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB114N03L G
  仓库库存编号：IPB114N03L G-ND
  别名：SP000304102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD160N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD160N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD160N04L G
  IPD160N04L G-ND
  SP000387933
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD170N04NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD170N04NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD170N04N G
  IPD170N04N G-ND
  SP000388297
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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