产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 30A（Tc） 1.5W（Ta），56W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK3481-AZ
仓库库存编号：
2SK3481-AZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-220 [K]
型号：
APT30N60KC6
仓库库存编号：
APT30N60KC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 68W（Tc） DPAK
型号：
NVD5413NT4G
仓库库存编号：
NVD5413NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT28F60S
仓库库存编号：
APT28F60S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JAN2N6766
仓库库存编号：
JAN2N6766-ND
别名：JAN2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6766T1
仓库库存编号：
JAN2N6766T1-ND
别名：JAN2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6766
仓库库存编号：
JANTX2N6766-ND
别名：JANTX2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N6766T1
仓库库存编号：
JANTX2N6766T1-ND
别名：JANTX2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTXV2N6766
仓库库存编号：
JANTXV2N6766-ND
别名：JANTXV2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6766T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6766T1-ND
别名：JANTXV2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6766
仓库库存编号：
2N6766-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6766T1
仓库库存编号：
2N6766T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 38W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6266_101
仓库库存编号：
AON6266_101-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NS
仓库库存编号：
IRLZ34NS-ND
别名：*IRLZ34NS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRR-ND
别名：Q971401
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ34NL
仓库库存编号：
IRLZ34NL-ND
别名：*IRLZ34NL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 82W（Tc） P-TO251-3
型号：
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号：
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名：SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 83W（Tc） P-TO251-3
型号：
IPU07N03LA
仓库库存编号：
IPU07N03LAIN-ND
别名：IPU07N03LAIN
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO251-3
型号：
IPU13N03LA G
仓库库存编号：
IPU13N03LAGIN-ND
别名：IPU13N03LA
IPU13N03LAGIN
IPU13N03LAGX
IPU13N03LAGXTIN
IPU13N03LAGXTIN-ND
IPU13N03LAIN
IPU13N03LAIN-ND
SP000017538
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP14N03LA
仓库库存编号：
IPP14N03LAIN-ND
别名：IPP14N03LAIN
IPP14N03LAX
IPP14N03LAXTIN
IPP14N03LAXTIN-ND
SP000014028
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB14N03LA
仓库库存编号：
IPB14N03LAINTR-ND
别名：IPB14N03LAINTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD13N03LA G
仓库库存编号：
IPD13N03LAGINCT-ND
别名：IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAGXTINCT-ND
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名：SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号：
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名：SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名：SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
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