产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(366)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(9)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(357)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(14)
Infineon Technologies(112)
IXYS(67)
Microsemi Corporation(19)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(3)
Panasonic Electronic Components(1)
Renesas Electronics America(5)
Rohm Semiconductor(10)
Sanken(1)
STMicroelectronics(34)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay Siliconix(80)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30N20
仓库库存编号:
497-5168-5-ND
别名:497-5168-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 30A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK850
仓库库存编号:
497-5124-1-ND
别名:497-5124-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NF20
仓库库存编号:
497-5989-5-ND
别名:497-5989-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 30A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NM30N
仓库库存编号:
497-7521-5-ND
别名:497-7521-5
STP30NM30N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 30A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD36NH02L
仓库库存编号:
497-7966-1-ND
别名:497-7966-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS30N3LLH6
仓库库存编号:
497-10008-1-ND
别名:497-10008-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK30N2LLH5
仓库库存编号:
497-10302-1-ND
别名:497-10302-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW38N65M5
仓库库存编号:
497-13124-5-ND
别名:497-13124-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34
仓库库存编号:
IRLZ34-ND
别名:*IRLZ34
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 30A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ30
仓库库存编号:
IRFZ30-ND
别名:*IRFZ30
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34
仓库库存编号:
IRFZ34-ND
别名:*IRFZ34
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ44G
仓库库存编号:
IRFIZ44G-ND
别名:*IRFIZ44G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ34L
仓库库存编号:
IRFZ34L-ND
别名:*IRFZ34L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34S
仓库库存编号:
IRFZ34S-ND
别名:*IRFZ34S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRL
仓库库存编号:
IRFZ34STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRR
仓库库存编号:
IRFZ34STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-262-3
型号:
IRLZ34L
仓库库存编号:
IRLZ34L-ND
别名:*IRLZ34L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34S
仓库库存编号:
IRLZ34S-ND
别名:*IRLZ34S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34STRL
仓库库存编号:
IRLZ34STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34STRR
仓库库存编号:
IRLZ34STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRL
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4
仓库库存编号:
MTB30P06VT4OS-ND
别名:MTB30P06VT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 450W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS30N60KPBF
仓库库存编号:
IRFPS30N60KPBF-ND
别名:*IRFPS30N60KPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号