产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N50
仓库库存编号：
IXFK48N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N50Q
仓库库存编号：
IXFK48N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISO264?
型号：
IXFG55N50
仓库库存编号：
IXFG55N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR55N50
仓库库存编号：
IXFR55N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50Q
仓库库存编号：
IXFN48N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE48NM50
仓库库存编号：
497-3170-5-ND
别名：497-3170-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD60N3LH5
仓库库存编号：
497-7971-1-ND
别名：497-7971-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STU70N2LH5
仓库库存编号：
STU70N2LH5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD70N2LH5
仓库库存编号：
497-10094-1-ND
别名：497-10094-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 48A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60N3LH5
仓库库存编号：
497-10713-5-ND
别名：497-10713-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB6060
仓库库存编号：
NDB6060TR-ND
别名：NDB6060TR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 48A（Tc） 69W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3202L
仓库库存编号：
IRL3202L-ND
别名：*IRL3202L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 650V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE48NM60
仓库库存编号：
497-3171-5-ND
别名：497-3171-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
型号：
FDH50N50
仓库库存编号：
FDH50N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
型号：
FQA44N10
仓库库存编号：
FQA44N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
FQH44N10
仓库库存编号：
FQH44N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
型号：
FQA48N20
仓库库存编号：
FQA48N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
型号：
APT30M70SVRG
仓库库存编号：
APT30M70SVRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Tc） 47.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8878
仓库库存编号：
FDB8878-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 550V 48A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N55
仓库库存编号：
IXFK48N55-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50U2
仓库库存编号：
IXFN48N50U2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50U3
仓库库存编号：
IXFN48N50U3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N55
仓库库存编号：
IXFN48N55-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 1.8W（Ta），85W（Tc） TO-263
型号：
NP48N055KLE-E1-AY
仓库库存编号：
NP48N055KLE-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44E
仓库库存编号：
IRFZ44E-ND
别名：*IRFZ44E
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