产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP09N03LA
仓库库存编号：
IPP09N03LAIN-ND
别名：IPP09N03LAIN
IPP09N03LAX
IPP09N03LAX-ND
SP000014031
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06N03LA
仓库库存编号：
IPP06N03LAIN-ND
别名：IPP06N03LAIN
IPP06N03LAX
IPP06N03LAXTIN
IPP06N03LAXTIN-ND
SP000014025
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB06N03LA
仓库库存编号：
IPB06N03LAINCT-ND
别名：IPB06N03LAINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB09N03LA
仓库库存编号：
IPB09N03LAINTR-ND
别名：IPB09N03LAINTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD04N03LA G
仓库库存编号：
IPD04N03LAGINCT-ND
别名：IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD05N03LA G
仓库库存编号：
IPD05N03LAGINTR-ND
别名：IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD06N03LA G
仓库库存编号：
IPD06N03LAGINCT-ND
别名：IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD09N03LA G
仓库库存编号：
IPD09N03LAGINCT-ND
别名：IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF05N03LA G
仓库库存编号：
IPF05N03LAGINCT-ND
别名：IPF05N03LAG
IPF05N03LAGINCT
IPF05N03LAGXTINCT
IPF05N03LAGXTINCT-ND
IPF05N03LAINCT
IPF05N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名：SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZS
仓库库存编号：
IRL3715ZS-ND
别名：*IRL3715ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCS
仓库库存编号：
IRL3715ZCS-ND
别名：*IRL3715ZCS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715Z
仓库库存编号：
IRL3715Z-ND
别名：*IRL3715Z
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZL
仓库库存编号：
IRL3715ZL-ND
别名：*IRL3715ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRL
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRR
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZCLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCLPBF-ND
别名：*IRL3715ZCLPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSPBF-ND
别名：SP001550328
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZLPBF-ND
别名：*IRL3715ZLPBF
SP001558032
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715ZPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZPBF-ND
别名：*IRL3715ZPBF
SP001552574
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCSPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD5N03LAG
仓库库存编号：
IPD5N03LAGINCT-ND
别名：IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB09N03LAT
仓库库存编号：
IPB09N03LAT-ND
别名：SP000016271
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB06N03LAT
仓库库存编号：
IPB06N03LAXTINCT-ND
别名：IPB06N03LAXTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
PSMN040-200W,127
仓库库存编号：
PSMN040-200W,127-ND
别名：934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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