产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK50N50
仓库库存编号：
IXFK50N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 520W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX50N50
仓库库存编号：
IXFX50N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号：
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N50PD3
仓库库存编号：
IXFN64N50PD3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号：
MKE38RK600DFELB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN50N50
仓库库存编号：
IXFN50N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50N60JCCU2
仓库库存编号：
APT50N60JCCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB50N80Q2
仓库库存编号：
IXFB50N80Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38P600LB-TRR
仓库库存编号：
MKE38P600LB-TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38P600LB
仓库库存编号：
MKE38P600LB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名：SP000249747
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236948
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S4L08ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S4L08ATMA2-ND
别名：SP001028664
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254716
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 50A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50N08S413ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N08S413ATMA1-ND
别名：SP000988948
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S409ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA2-ND
别名：SP001028662
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名：IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S3-08
仓库库存编号：
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名：IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名：SP001063626
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S214ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S214ATMA2-ND
别名：SP001063624
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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