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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20S
  仓库库存编号：IRFBE20S-ND
  别名：*IRFBE20S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20STRL
  仓库库存编号：IRFBE20STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20STRR
  仓库库存编号：IRFBE20STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRL
  仓库库存编号：IRFR9310TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRR
  仓库库存编号：IRFR9310TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N40
  仓库库存编号：FQP2N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 1.8A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 1.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2P25
  仓库库存编号：FQPF2P25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N80TU
  仓库库存编号：FQU2N80TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N80TF
  仓库库存编号：FQD2N80TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N80
  仓库库存编号：FQPF3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A065CG
  仓库库存编号：GP2M002A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A065FG
  仓库库存编号：GP2M002A065FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A065HG
  仓库库存编号：GP2M002A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A065PG
  仓库库存编号：GP2M002A065PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013523
  SPP02N60C3
  SPP02N60C3IN
  SPP02N60C3IN-ND
  SPP02N60C3X
  SPP02N60C3XK
  SPP02N60C3XTIN
  SPP02N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60S5HKSA1-ND
  别名：SP000012390
  SP000681016
  SPP02N60S5
  SPP02N60S5-ND
  SPP02N60S5IN
  SPP02N60S5IN-ND
  SPP02N60S5X
  SPP02N60S5XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60S5BKMA1-ND
  别名：SPU02N60S5
  SPU02N60S5-ND
  SPU02N60S5IN
  SPU02N60S5IN-ND
  SPU02N60S5X
  SPU02N60S5XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPS02N60C3
  仓库库存编号：SPS02N60C3-ND
  别名：SP000235878
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc）,
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