产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2703
仓库库存编号:
IRLU2703-ND
别名:*IRLU2703
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15D
仓库库存编号:
IRFS23N15D-ND
别名:*IRFS23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15D
仓库库存编号:
IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRF9540NL
仓库库存编号:
IRF9540NL-ND
别名:*IRF9540NL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540NSTRR
仓库库存编号:
IRF9540NSTRR-ND
别名:SP001555904
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRL
仓库库存编号:
IRLR2703TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRR
仓库库存编号:
IRLR2703TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540,127
仓库库存编号:
568-1160-5-ND
别名:568-1160-5
934055542127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU2703PBF
仓库库存编号:
IRLU2703PBF-ND
别名:*IRLU2703PBF
SP001558606
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFSL23N15DPBF-ND
别名:*IRFSL23N15DPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
PHD23NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD23NQ10T,118-ND
别名:934055697118
PHD23NQ10T /T3
PHD23NQ10T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 98W(Tc) D2PAK
型号:
PHB23NQ10LT,118
仓库库存编号:
PHB23NQ10LT,118-ND
别名:934055798118
PHB23NQ10LT /T3
PHB23NQ10LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R140CP
仓库库存编号:
IPI50R140CP-ND
别名:SP000396822
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
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