产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9575-100A,127
仓库库存编号：
568-9738-5-ND
别名：568-9738-5
934056118127
BUK9575-100A
BUK9575-100A,127-ND
BUK9575-100A-ND
BUK9575100A127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360
仓库库存编号：
IRFP360-ND
别名：*IRFP360
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP254
仓库库存编号：
IRFP254-ND
别名：*IRFP254
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360LC
仓库库存编号：
IRFP360LC-ND
别名：*IRFP360LC
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP23N50L
仓库库存编号：
IRFP23N50L-ND
别名：*IRFP23N50L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 23A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP23P06V
仓库库存编号：
MTP23P06VOS-ND
别名：MTP23P06VOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP254NPBF
仓库库存编号：
IRFP254NPBF-ND
别名：*IRFP254NPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 23A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP23P06VG
仓库库存编号：
MTP23P06VGOS-ND
别名：MTP23P06VGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 23A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76413P3
仓库库存编号：
HUFA76413P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7575-100A,127
仓库库存编号：
568-9776-5-ND
别名：568-9776-5
934056483127
BUK7575-100A
BUK7575-100A,127-ND
BUK7575-100A-ND
BUK7575100A127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1400V 23A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT14050JVFR
仓库库存编号：
APT14050JVFR-ND
别名：APT14050JFVR
APT14050JFVR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM23N15-73-E3
仓库库存编号：
SUM23N15-73-E3CT-ND
别名：SUM23N15-73-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 23A（Tc） 33W（Tc） DPAK
型号：
NTD5807NT4G
仓库库存编号：
NTD5807NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC26N50
仓库库存编号：
IXFC26N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
型号：
NTD6415AN-1G
仓库库存编号：
NTD6415AN-1GOS-ND
别名：NTD6415AN-1G-ND
NTD6415AN-1GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
型号：
NP23N06YDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
NP23N06YDG-E1-AYTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NVD6415ANLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6415ANLT4G-VF01-ND
别名：NVD6415ANLT4G
NVD6415ANLT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW23N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M023A050N
仓库库存编号：
GP2M023A050N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M023A050N
仓库库存编号：
1560-1192-5-ND
别名：1560-1192-1
1560-1192-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5025BN
仓库库存编号：
APT5025BN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD
型号：
APT6030BN
仓库库存编号：
APT6030BN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI540N
仓库库存编号：
IRLI540N-ND
别名：*IRLI540N
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 100V 23A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP9140N
仓库库存编号：
IRFP9140N-ND
别名：*IRFP9140N
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
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