产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ956EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ956EP-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FKI10300
仓库库存编号：
FKI10300-ND
别名：FKI10300 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NVD6415ANT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6415ANT4G-VF01-ND
别名：NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD23N06-31L_GE3
仓库库存编号：
SQD23N06-31L_GE3-ND
别名：SQD23N06-31L-GE3
SQD23N06-31L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP23N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF23N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB23N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC23N60C5
仓库库存编号：
IXKC23N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT22F80S
仓库库存编号：
APT22F80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH23N60Q
仓库库存编号：
IXFH23N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） TO-268
型号：
IXFQ23N60Q
仓库库存编号：
IXFQ23N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXFT23N60Q
仓库库存编号：
IXFT23N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N60Q
仓库库存编号：
IXFR26N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH23N80Q
仓库库存编号：
IXFH23N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT23N80Q
仓库库存编号：
IXFT23N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 23A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT22F120L
仓库库存编号：
APT22F120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM100DA33T1G
仓库库存编号：
APTM100DA33T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM100SK33T1G
仓库库存编号：
APTM100SK33T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN23N100
仓库库存编号：
IXFN23N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N100P
仓库库存编号：
IXFN26N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N120P
仓库库存编号：
IXFN26N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名：IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50V 23A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
BUZ10
仓库库存编号：
497-2728-5-ND
别名：497-2728-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 285W（Tc） TO-247-3
型号：
STW24NK55Z
仓库库存编号：
497-7034-5-ND
别名：497-7034-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 23A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF40NF03L
仓库库存编号：
STF40NF03L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）,
无铅
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