产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(113)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(112)
筛选品牌
Cree/Wolfspeed(1)
Fairchild/ON Semiconductor(6)
Global Power Technologies Group(2)
Infineon Technologies(27)
IXYS(12)
Microsemi Corporation(11)
Nexperia USA Inc.(6)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(9)
Renesas Electronics America(1)
Sanken(1)
STMicroelectronics(9)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Vishay Siliconix(22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ476EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ476EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANLT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP50R140CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPXKSA1-ND
别名:SP000680932
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-220
型号:
FCP165N60E
仓库库存编号:
FCP165N60E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF220N80
仓库库存编号:
FCPF220N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247
型号:
FCH165N60E
仓库库存编号:
FCH165N60E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 23A
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
FCP220N80
仓库库存编号:
FCP220N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB28NM60ND
仓库库存编号:
497-14238-1-ND
别名:497-14238-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7199-1-ND
别名:1727-7199-1
568-9688-1
568-9688-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R140CP
仓库库存编号:
IPB50R140CPCT-ND
别名:IPB50R140CPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 141W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R102G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R102G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R102G7XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3315PBF
仓库库存编号:
IRF3315PBF-ND
别名:*IRF3315PBF
SP001553934
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP9140NPBF
仓库库存编号:
IRFP9140NPBF-ND
别名:*IRFP9140NPBF
SP001556802
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N15DPBF-ND
别名:*IRFB23N15DPBF
SP001566508
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF9540NLPBF
仓库库存编号:
IRF9540NLPBF-ND
别名:SP001575378
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP28NM60ND
仓库库存编号:
497-14196-5-ND
别名:497-14196-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH24N65EF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT22F120B2
仓库库存编号:
APT22F120B2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10045B2LLG
仓库库存编号:
APT10045B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 570W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N100Q3
仓库库存编号:
IXFR32N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 23A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT22F100J
仓库库存编号:
APT22F100J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7173-1-ND
别名:1727-7173-1
568-9658-1
568-9658-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N15DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP360PBF
仓库库存编号:
IRFP360PBF-ND
别名:*IRFP360PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT22F80B
仓库库存编号:
APT22F80B-ND
别名:APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号