产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20S
仓库库存编号：
IRFBF20S-ND
别名：*IRFBF20S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD010
仓库库存编号：
IRFD010-ND
别名：*IRFD010
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC20G
仓库库存编号：
IRFIBC20G-ND
别名：*IRFIBC20G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310
仓库库存编号：
IRFR310-ND
别名：*IRFR310
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TR
仓库库存编号：
IRFR310TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU310
仓库库存编号：
IRFU310-ND
别名：*IRFU310
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20L
仓库库存编号：
IRFBF20L-ND
别名：*IRFBF20L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRL
仓库库存编号：
IRFBF20STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRR
仓库库存编号：
IRFBF20STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRL
仓库库存编号：
IRFR310TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRR
仓库库存编号：
IRFR310TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD010PBF
仓库库存编号：
IRFD010PBF-ND
别名：*IRFD010PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N30TM
仓库库存编号：
FQD2N30TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU2N90TU
仓库库存编号：
FQU2N90TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF2NA90
仓库库存编号：
FQPF2NA90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N90TF
仓库库存编号：
FQD2N90TFCT-ND
别名：FQD2N90TFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R3K3C6
仓库库存编号：
IPD60R3K3C6CT-ND
别名：IPD60R3K3C6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
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