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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK10A55D(STA4QM)
  TK10A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK10J80E,S1E
  仓库库存编号：TK10J80ES1E-ND
  别名：TK10J80E,S1E(S
  TK10J80ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20FU6
  仓库库存编号：RDN100N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8342TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8342TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8342TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO110N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
  别名：BSO110N03MS G
  BSO110N03MS G-ND
  BSO110N03MS GINTR
  BSO110N03MS GINTR-ND
  SP000446062
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7416QTR
  仓库库存编号：AUIRF7416QTR-ND
  别名：SP001516460
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） DIRECTFET? M4
  
  型号：AUIRL7766M2TR
  仓库库存编号：AUIRL7766M2TR-ND
  别名：SP001516036
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8410
  仓库库存编号：NDS8410CT-ND
  别名：NDS8410CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8109(TE12L)
  仓库库存编号：TPC8109CT-ND
  别名：TPC8109CT
  TPC8109TE12L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：2SK2095N
  仓库库存编号：2SK2095N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20
  仓库库存编号：RDN100N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS100N03TB
  仓库库存编号：RSS100N03TBCT-ND
  别名：RSS100N03TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DY
  仓库库存编号：SI4410DYFSCT-ND
  别名：SI4410DYCT
  SI4410DYCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4410
  仓库库存编号：FDS4410-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10A（Ta） 3.4W（Ta），69W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD3570
  仓库库存编号：FDD3570-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR840P
  仓库库存编号：FDR840P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR844P
  仓库库存编号：FDR844P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4483EDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4483EDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4483EDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4840DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4840DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4840DY-T1-E3CT
  SI4840DYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS100N03TB1
  仓库库存编号：RRS100N03TB1CT-ND
  别名：RRS100N03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3309(Q)
  仓库库存编号：2SK3309(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3309(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3309(TE24L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8115(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2866(F)
  仓库库存编号：2SK2866(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 810mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4935NR2G
  仓库库存编号：NTMS4935NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）,
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