产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1073X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1073X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1073X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V PowerPAK? SO-8
型号:
SIR840DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR840DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR840DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1065X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1065X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1065X-T1-GE3CT
SI1065XT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1071X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1071X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1071X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6410DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6410DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6410DQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6562DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6562DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6562DQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V SOT-23(TO-236AB)
型号:
5X49_BG7002B
仓库库存编号:
5X49_BG7002B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH DO-35
详细描述:通孔 N 沟道 DO-35
型号:
FDH633605
仓库库存编号:
FDH633605-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 TO-92-3
型号:
PN3685
仓库库存编号:
PN3685-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 300V ISOPLUS220?
型号:
IXFC40N30Q
仓库库存编号:
IXFC40N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V ISOPLUS220?
型号:
IXTC102N20T
仓库库存编号:
IXTC102N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 250V ISOPLUS220?
型号:
IXTC102N25T
仓库库存编号:
IXTC102N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 150V ISOPLUS220?
型号:
IXTC130N15T
仓库库存编号:
IXTC130N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 28SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28-SO
型号:
BUK9GTHP-55PJTR,51
仓库库存编号:
BUK9GTHP-55PJTR,51-ND
别名:934061028518
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V Surface Mount 20-SO
型号:
BUK9MJT-55PRF,518
仓库库存编号:
BUK9MJT-55PRF,518-ND
别名:934061029518
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1056X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1056X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1056X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8467DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8467DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8467DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-09P-E3CT
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ON Semiconductor
MOSFET 30V 50A NFETU8FL
详细描述:MOSFET 30V 50A NFETU8FL
型号:
NTTFSC4823NTAG
仓库库存编号:
NTTFSC4823NTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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ON Semiconductor
MOSFET 60V 12A 196
详细描述:MOSFET 60V 12A 196
型号:
NVTP2955G
仓库库存编号:
NVTP2955G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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ON Semiconductor
MOSFET 30V 57A NFETU8FL
详细描述:MOSFET 30V 57A NFETU8FL
型号:
NTTFSC4821NTAG
仓库库存编号:
NTTFSC4821NTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V SC89
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1072X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1072X-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC89
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1058X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1058X-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1046R-T1-E3
仓库库存编号:
SI1046R-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1051X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1051X-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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