产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(3818)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(3722)
晶体管 - JFET
(96)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(154)
Central Semiconductor Corp(21)
Diodes Incorporated(387)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(462)
Infineon Technologies(517)
IXYS(118)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(54)
Microsemi Corporation(31)
Nexperia USA Inc.(100)
NXP USA Inc.(17)
ON Semiconductor(401)
Panasonic Electronic Components(28)
Renesas Electronics America(41)
Rohm Semiconductor(166)
STMicroelectronics(68)
Taiwan Semiconductor Corporation(98)
Texas Instruments(40)
Torex Semiconductor Ltd(5)
Toshiba Semiconductor and Storage(112)
Vishay Siliconix(978)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120NTRL
仓库库存编号：
IRFR9120NTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120NTRR
仓库库存编号：
IRFR9120NTRR-ND
别名：SP001576116
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 20V 24A（Tc） TO-262
型号：
IRL5602L
仓库库存编号：
IRL5602L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 20V 24A（Tc） TO-220AB
型号：
IRL5602
仓库库存编号：
IRL5602-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602STRL
仓库库存编号：
IRL5602STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602STRR
仓库库存编号：
IRL5602STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1TR
仓库库存编号：
IRF7526D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.6A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7700
仓库库存编号：
IRF7700-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7726TR
仓库库存编号：
IRF7726CT-ND
别名：*IRF7726TR
IRF7726CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
型号：
IRF6100
仓库库存编号：
IRF6100CT-ND
别名：*IRF6100
IRF6100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7706
仓库库存编号：
IRF7706-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7241
仓库库存编号：
IRF7241-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5806
仓库库存编号：
IRF5806-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803
仓库库存编号：
IRF5803-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804
仓库库存编号：
IRF5804-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800
仓库库存编号：
IRF5800-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5410
仓库库存编号：
IRFU5410-ND
别名：*IRFU5410
SP001576322
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805
仓库库存编号：
IRF5805-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2
仓库库存编号：
IRF5803D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 10A（Tc） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7701
仓库库存编号：
IRF7701-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7425
仓库库存编号：
IRF7425-ND
别名：*IRF7425
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7704
仓库库存编号：
IRF7704-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9014N
仓库库存编号：
IRFU9014N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 11.5A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7420
仓库库存编号：
IRF7420-ND
别名：*IRF7420
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7433
仓库库存编号：
IRF7433-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
搜索
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
