产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.5A（Ta） 550mW（Ta） 4-AlphaDFN（1.57x1.57）
型号：
AOC2413
仓库库存编号：
AOC2413-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 550mW（Ta） 4-AlphaDFN（1.57x1.57）
型号：
AOC2415
仓库库存编号：
AOC2415-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 550mW（Ta） 4-AlphaDFN（1.57x1.57）
型号：
AOC2417
仓库库存编号：
AOC2417-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 600mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
型号：
AOC2423
仓库库存编号：
AOC2423-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 1.5W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2705
仓库库存编号：
AON2705-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
型号：
UPA2735GR-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2735GR-E1-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
型号：
UPA2736GR-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2736GR-E1-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
型号：
UPA2738GR-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2738GR-E1-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMP3120L-7
仓库库存编号：
DMP3120L-7DI-ND
别名：DMP3120L-7DI
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
型号：
ZXM62P03E6TC
仓库库存编号：
ZXM62P03E6TCDI-ND
别名：ZXM62P03E6TCDI
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMP3F35N8TA
仓库库存编号：
ZXMP3F35N8TADI-ND
别名：ZXMP3F35N8TADI
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMP3F36N8TA
仓库库存编号：
ZXMP3F36N8TADI-ND
别名：ZXMP3F36N8TADI
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMP3F37N8TA
仓库库存编号：
ZXMP3F37N8TADI-ND
别名：ZXMP3F37N8TADI
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3J14TTE85LF
仓库库存编号：
SSM3J14TTE85LFCT-ND
别名：SSM3J14TTE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3J36MFV,L3F
仓库库存编号：
SSM3J36MFVL3FCT-ND
别名：SSM3J36MFV(TL3T)CT
SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J36MFVL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6804
仓库库存编号：
JAN2N6804-ND
别名：JAN2N6804-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6849
仓库库存编号：
JAN2N6849-ND
别名：JAN2N6849-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6849U
仓库库存编号：
JAN2N6849U-ND
别名：JAN2N6849U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7236
仓库库存编号：
JAN2N7236-ND
别名：JAN2N7236-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7236U
仓库库存编号：
JAN2N7236U-ND
别名：JAN2N7236U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7236
仓库库存编号：
JANTX2N7236-ND
别名：JANTX2N7236-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7236U
仓库库存编号：
JANTX2N7236U-ND
别名：JANTX2N7236U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6804
仓库库存编号：
JANTXV2N6804-ND
别名：JANTXV2N6804-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6849
仓库库存编号：
JANTXV2N6849-ND
别名：JANTXV2N6849-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6849U
仓库库存编号：
JANTXV2N6849U-ND
别名：JANTXV2N6849U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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