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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8102(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8102(TE85L,F,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC36P15P
  仓库库存编号：IXTC36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1065X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1065X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1065X-T1-GE3CT
  SI1065XT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 1W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2351DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2351DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2351DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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  MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4825DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4825DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4825DY-T1-GE3CT
  SI4825DYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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  MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5435BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5447DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5447DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5447DC-T1-GE3CT
  SI5447DCT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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  MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6433BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6433BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6433BDQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6435ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6435ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6435ADQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
  SI6459BDQT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6463BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6463BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6463BDQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7107DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7107DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7107DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7411DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7411DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7411DN-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 13A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7459DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7459DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7459DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7483ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7483ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7483ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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  MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12.5A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7485DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7485DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7485DP-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA411DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA411DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA411DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJS1102PTAG
  仓库库存编号：NTLJS1102PTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJS1102PTBG
  仓库库存编号：NTLJS1102PTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8435A
  仓库库存编号：NDS8435A-ND
  别名：Q4210279C
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-F2
  
  型号：2SJ0536G0L
  仓库库存编号：2SJ0536G0LCT-ND
  别名：2SJ0536G0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSS迷你型3-F2
  
  型号：2SJ0674G0L
  仓库库存编号：2SJ0674G0LCT-ND
  别名：2SJ0674G0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23201W10
  仓库库存编号：296-24258-1-ND
  别名：296-24258-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25301W1015
  仓库库存编号：296-24259-1-ND
  别名：296-24259-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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