产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3162PT3G
仓库库存编号:
NTR3162PT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4G
仓库库存编号:
MTB30P06VT4GOSCT-ND
别名:MTB30P06VT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.6A(Ta) 970mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS1135PT1G
仓库库存编号:
NTGS1135PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1067X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1067X-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Tc) 3.3W(Ta),15W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA443DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA443DJ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA811DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA811DJ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1051X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1051X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1051X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1073X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1073X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1073X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.4A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305ADS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305ADS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305ADS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7601DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7601DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7601DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA417DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA417DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA419DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA419DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA419DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB413DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB413DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB413DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB415DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB415DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB415DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB417DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB417DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB417DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Tc) 2.45W(Ta),13.1W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB419DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB419DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB419DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6104(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6104(TE85L,F,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6107(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6107(TE85L,F,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8110(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8110(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8111(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8111(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8113(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8113(TE12L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8115(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8102(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8102(TE12L,Q,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8103(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8103(TE12L,Q,M-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 1.6W(Ta),20W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8105(TE12L,Q,M
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TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
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