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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6015DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6015DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6018DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6018DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 62.5W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6026DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6026DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 29.5W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6035DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6035DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL5012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL5012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJL5012DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJL5012DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 38A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6013DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6018DPK-00#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6020DPK-00#T0-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2392DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392DS-T1-GE3CT
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 700mA（Ta） 250mW（Ta），770mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR290UNE,115
  仓库库存编号：568-10319-1-ND
  别名：568-10319-1
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT15F60S
  仓库库存编号：APT15F60S-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18F60S
  仓库库存编号：APT18F60S-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT20F50S
  仓库库存编号：APT20F50S-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT23F60S
  仓库库存编号：APT23F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT24F50S
  仓库库存编号：APT24F50S-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT28F60S
  仓库库存编号：APT28F60S-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT11F80S
  仓库库存编号：APT11F80S-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：HN4K03JUTE85LF
  仓库库存编号：HN4K03JUTE85LFCT-ND
  别名：HN4K03JUTE85LFCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：2SK2035(T5L,F,T)
  仓库库存编号：2SK2035(T5LFT)CT-ND
  别名：2SK2035(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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