产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 18A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK56T1G
仓库库存编号:
APTM120SK56T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK68T1G
仓库库存编号:
APTM120SK68T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 160A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10DAG
仓库库存编号:
APTM120U10DAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 103A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM95FAG
仓库库存编号:
APTM120UM95FAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM20DAM10TG
仓库库存编号:
APTM20DAM10TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM20SKM10TG
仓库库存编号:
APTM20SKM10TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 317A(Tc) 1136W(Tc) 模块
型号:
APTM20UM05SG
仓库库存编号:
APTM20UM05SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 195A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 195A(Tc) 780W(Tc) 模块
型号:
APTM20UM09SG
仓库库存编号:
APTM20UM09SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 99A(Tc) 781W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM35TG
仓库库存编号:
APTM50DAM35TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 90A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM38CTG
仓库库存编号:
APTM50DAM38CTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 90A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM38TG
仓库库存编号:
APTM50DAM38TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 99A(Tc) 781W(Tc) SP4
型号:
APTM50SKM35TG
仓库库存编号:
APTM50SKM35TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 90A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM50SKM38TG
仓库库存编号:
APTM50SKM38TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) 模块
型号:
APTM50UM19SG
仓库库存编号:
APTM50UM19SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 149A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 149A(Tc) 1250W(Tc) 模块
型号:
APTM50UM25SG
仓库库存编号:
APTM50UM25SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 40A(Tc) 40.5W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8878
仓库库存编号:
FDP8878-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5682
仓库库存编号:
FDS5682CT-ND
别名:FDS5682CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5692Z
仓库库存编号:
FDS5692ZCT-ND
别名:FDS5692ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8670
仓库库存编号:
FDS8670CT-ND
别名:FDS8670CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8874
仓库库存编号:
FDS8874CT-ND
别名:FDS8874CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 280mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN5L06T-7
仓库库存编号:
DMN5L06T-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 280mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN5L06W-7
仓库库存编号:
DMN5L06W-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 265A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 265A(Tc) 395W(Tc) TO-262-3
型号:
FDI025N06
仓库库存编号:
FDI025N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10TM
仓库库存编号:
FQD7N10TMCT-ND
别名:FQD7N10TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),45W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N20TM
仓库库存编号:
FQB4N20TMCT-ND
别名:FQB4N20TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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