产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 28A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N100Q3
仓库库存编号:
IXFN32N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号:
IXTX4N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX1R4N450HV
仓库库存编号:
IXTX1R4N450HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX6N200P3HV
仓库库存编号:
IXTX6N200P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1R4N450
仓库库存编号:
IXTF1R4N450-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL1001J
仓库库存编号:
APL1001J-ND
别名:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 520W(Tc) SP1
型号:
APTML100U60R020T1AG
仓库库存编号:
APTML100U60R020T1AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CH 40V 0.36W SMD
详细描述:JFET N-Channel 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB
型号:
JANTX2N4856UB
仓库库存编号:
1088-1018-ND
别名:1088-1018
1088-1018-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 372A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM20SKM04G
仓库库存编号:
APTM20SKM04G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 300mW(Ta),1.06W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3020NAK,215
仓库库存编号:
1727-1285-1-ND
别名:1727-1285-1
568-10504-1
568-10504-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 770mW(Ta) SC-73
型号:
PMT280ENEAX
仓库库存编号:
1727-2724-1-ND
别名:1727-2724-1
568-13288-1
568-13288-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.8A(Tc) 31W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M85-60EX
仓库库存编号:
1727-2586-1-ND
别名:1727-2586-1
568-13030-1
568-13030-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK7880-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2460-1-ND
别名:1727-2460-1
568-12759-1
568-12759-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2221-2-ND
别名:1727-2221-2
568-12489-2
568-12489-2-ND
934068292115
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2221-1-ND
别名:1727-2221-1
568-12489-1
568-12489-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 750mW(Ta) SC-73
型号:
PMT560ENEAX
仓库库存编号:
1727-2725-1-ND
别名:1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 530mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号:
1727-1234-1-ND
别名:1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Ta) 478mW(Ta), 8.36W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV55ENEAR
仓库库存编号:
1727-2534-1-ND
别名:1727-2534-1
568-12973-1
568-12973-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M17-30EX
仓库库存编号:
1727-2573-1-ND
别名:1727-2573-1
568-13017-1
568-13017-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M21-40EX
仓库库存编号:
1727-2559-1-ND
别名:1727-2559-1
568-13003-1
568-13003-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),29A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3707TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.73A(Tc) 60.4W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y58-75B,115
仓库库存编号:
1727-4617-1-ND
别名:1727-4617-1
568-5529-1
568-5529-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 510mW(Ta), 3.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50ENEAR
仓库库存编号:
1727-2533-1-ND
别名:1727-2533-1
568-12972-1
568-12972-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 43W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2500-1-ND
别名:1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y65-100E,115
仓库库存编号:
1727-1125-1-ND
别名:1727-1125-1
568-10280-1
568-10280-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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