产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT50M65B2FLLG
仓库库存编号:
APT50M65B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10045B2LLG
仓库库存编号:
APT10045B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXTT4N150HV
仓库库存编号:
IXTT4N150HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 568W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60Q3
仓库库存编号:
IXFR64N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 195W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT1N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 690W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT10035LLLG
仓库库存编号:
APT10035LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8020LFLLG
仓库库存编号:
APT8020LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2FLLG
仓库库存编号:
APT12067B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 570W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N100Q3
仓库库存编号:
IXFR32N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH1N450HV
仓库库存编号:
IXTH1N450HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 23A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT22F100J
仓库库存编号:
APT22F100J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47F60J
仓库库存编号:
APT47F60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX22N100L
仓库库存编号:
IXTX22N100L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 192A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN210N30P3
仓库库存编号:
IXFN210N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110Q3
仓库库存编号:
IXFB40N110Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTT3N200P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT2N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
不受无铅要求限制
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IXYS
SMPD HIPERFETS & MOSFETS
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) Polar3?
型号:
MMIX1T132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1T132N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 63A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q3
仓库库存编号:
IXFN80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150HV
仓库库存编号:
IXTT12N150HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN62N80Q3
仓库库存编号:
IXFN62N80Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 82A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N50Q3
仓库库存编号:
IXFN100N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N80Q3
仓库库存编号:
IXFN44N80Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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