产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
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分立半导体产品
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W5,S1X
仓库库存编号:
TK14E65W5S1X-ND
别名:TK14E65W5,S1X(S
TK14E65W5S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 156W(Tc) TO-247-3
型号:
STW9NK70Z
仓库库存编号:
497-5899-5-ND
别名:497-5899-5
STW9NK70Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP220N06T3
仓库库存编号:
IXFP220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030KNX
仓库库存编号:
R6030KNX-ND
别名:R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 74W(Tc) TO-3PF
型号:
R6024KNZC8
仓库库存编号:
R6024KNZC8-ND
别名:R6024KNZC8TR
R6024KNZC8TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
IXTA270N04T4-7
仓库库存编号:
IXTA270N04T4-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7N95K3
仓库库存编号:
497-12588-5-ND
别名:497-12588-5
STF7N95K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 245W(Tc) TO-247
型号:
R6024KNZ1C9
仓库库存编号:
R6024KNZ1C9-ND
别名:R6024KNZ1C9TR
R6024KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.6A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NK70Z
仓库库存编号:
497-5893-5-ND
别名:497-5893-5
STP10NK70Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 240W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N90C_F109
仓库库存编号:
FQA8N90C_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-263
型号:
IXFA220N06T3
仓库库存编号:
IXFA220N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 305W(Tc) TO-247
型号:
R6030KNZ1C9
仓库库存编号:
R6030KNZ1C9-ND
别名:R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-3PF
型号:
R6030KNZC8
仓库库存编号:
R6030KNZC8-ND
别名:R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF04
仓库库存编号:
497-10075-5-ND
别名:497-10075-5
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tj) 405W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R8-100PSEQ
仓库库存编号:
1727-2471-ND
别名:1727-2471
568-12856
568-12856-ND
934068633127
PSMN4R8-100PSEQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK20N60W5,S1VF
仓库库存编号:
TK20N60W5S1VF-ND
别名:TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-220
型号:
IXFP22N65X2
仓库库存编号:
IXFP22N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 83A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4228PBF
仓库库存编号:
IRFB4228PBF-ND
别名:SP001575554
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),349A(Tc) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18536KTTT
仓库库存编号:
296-44122-1-ND
别名:296-44122-1
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
型号:
TK25E60X,S1X
仓库库存编号:
TK25E60XS1X-ND
别名:TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-247
型号:
TK25N60X5,S1F
仓库库存编号:
TK25N60X5S1F-ND
别名:TK25N60X5,S1F(S
TK25N60X5S1F
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
型号:
TK25E60X5,S1X
仓库库存编号:
TK25E60X5S1X-ND
别名:TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP270N06T3
仓库库存编号:
IXFP270N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA270N06T3
仓库库存编号:
IXFA270N06T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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