产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0901NSI
仓库库存编号：
BSC0901NSICT-ND
别名：BSC0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7831TRPBF
仓库库存编号：
IRF7831PBFCT-ND
别名：*IRF7831TRPBF
IRF7831PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7820TRPBF
仓库库存编号：
IRF7820TRPBFCT-ND
别名：IRF7820TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7853TRPBF
仓库库存编号：
IRF7853TRPBFCT-ND
别名：IRF7853TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号：
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名：IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y12-100E,115
仓库库存编号：
1727-1121-1-ND
别名：1727-1121-1
568-10276-1
568-10276-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6626
仓库库存编号：
IRF6626CT-ND
别名：IRF6626CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC026N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ12DN20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名：BSZ240N12NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2925U,115
仓库库存编号：
1727-3121-1-ND
别名：1727-3121-1
568-2344-1
568-2344-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名：IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名：IRLR3915TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709PBF
仓库库存编号：
IRF3709PBF-ND
别名：*IRF3709PBF
SP001570060
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4420DYPBFCT-ND
别名：*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6619
仓库库存编号：
IRF6619CT-ND
别名：IRF6619CT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7206-1-ND
别名：1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
无铅
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