产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(22067)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(21638)
晶体管 - JFET
(428)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(945)
Central Semiconductor Corp(55)
Comchip Technology(2)
Cree/Wolfspeed(26)
Diodes Incorporated(762)
EPC(84)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(2744)
Global Power Technologies Group(133)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors(4)
Infineon Technologies(4905)
IXYS(1863)
IXYS Integrated Circuits Division(19)
Micro Commercial Co(19)
Microchip Technology(130)
Microsemi Corporation(587)
Nexperia USA Inc.(906)
NXP USA Inc.(470)
ON Semiconductor(1643)
Panasonic Electronic Components(87)
Renesas Electronics America(298)
Rohm Semiconductor(425)
Sanken(101)
STMicroelectronics(2043)
Taiwan Semiconductor Corporation(445)
Texas Instruments(164)
Torex Semiconductor Ltd(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(575)
Transphorm(20)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(2586)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M19-60EX
仓库库存编号:
1727-2574-1-ND
别名:1727-2574-1
568-13018-1
568-13018-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN025-80YLX
仓库库存编号:
1727-2594-1-ND
别名:1727-2594-1
568-13045-1
568-13045-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号:
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名:IRLH7134TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
BUK72150-55A,118
仓库库存编号:
1727-7151-1-ND
别名:1727-7151-1
568-9634-1
568-9634-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3W(Ta),30W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8235TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8235TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8235TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.7A(Tc) 59.4W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y22-30B,115
仓库库存编号:
1727-4615-1-ND
别名:1727-4615-1
568-5527-1
568-5527-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 39.5A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y20-30B,115
仓库库存编号:
1727-4607-1-ND
别名:1727-4607-1
568-5517-1
568-5517-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K0CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M9R1-40EX
仓库库存编号:
1727-2587-1-ND
别名:1727-2587-1
568-13031-1
568-13031-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S4L06ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M34-100EX
仓库库存编号:
1727-2579-1-ND
别名:1727-2579-1
568-13023-1
568-13023-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M23-80EX
仓库库存编号:
1727-2575-1-ND
别名:1727-2575-1
568-13019-1
568-13019-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名:IPD15N06S2L64ATMA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M9R9-60EX
仓库库存编号:
1727-2566-1-ND
别名:1727-2566-1
568-13010-1
568-13010-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
搜索
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号