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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR472ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR472ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4494
  仓库库存编号：785-1291-1-ND
  别名：785-1291-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN8R903NL,LQ
  仓库库存编号：TPN8R903NLLQCT-ND
  别名：TPN8R903NLLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 81A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8256TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8256TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8256TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7670
  仓库库存编号：FDMA7670CT-ND
  别名：FDMA7670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A11KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A11KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A11KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ058N03LS G
  仓库库存编号：BSZ058N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ058N03LSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC050N03MSGINCT
  BSC050N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TM
  仓库库存编号：FDD6N20TMCT-ND
  别名：FDD6N20TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N03S4L-04
  仓库库存编号：IPD70N03S4L-04CT-ND
  别名：IPD70N03S4L-04CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8878
  仓库库存编号：FDD8878CT-ND
  别名：FDD8878CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta），31W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E280GNTB
  仓库库存编号：RS1E280GNTBCT-ND
  别名：RS1E280GNTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） 8-HSSO
  
  型号：SK8403180L
  仓库库存编号：P16265CT-ND
  别名：P16265CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF030NE2LQ
  仓库库存编号：BSF030NE2LQCT-ND
  别名：BSF030NE2LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 65W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8721TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8721TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8721TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8259TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8259TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8259TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7402TRPBF
  仓库库存编号：IRF7402PBFCT-ND
  别名：*IRF7402TRPBF
  IRF7402PBFCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPN7R506NHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
  
  型号：TK50P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR825TRPBF
  仓库库存编号：IRFR825TRPBFCT-ND
  别名：IRFR825TRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R203NC,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R203NCL1QCT-ND
  别名：TPN4R203NCL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03MS G
  仓库库存编号：BSZ035N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ035N03MSGINCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E130MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E130MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E130MNTB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E100MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E100MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E100MNTB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 N 沟道,
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