产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPBH6N03LA G
仓库库存编号：
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名：IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD03N03LB G
仓库库存编号：
IPD03N03LBGINCT-ND
别名：IPD03N03LBG
IPD03N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12N03LB G
仓库库存编号：
IPD12N03LBGINCT-ND
别名：IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD640N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD640N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD640N06LGINCT
IPD640N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W E6327
仓库库存编号：
SN7002WE6327INCT-ND
别名：SN7002WE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N10L G
仓库库存编号：
SPB80N10LGINCT-ND
别名：SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），59A（Tc） 2.2W（Ta），34W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6622TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6622TR1PBFCT-ND
别名：IRF6622TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03S G
仓库库存编号：
BSC042N03SGINCT-ND
别名：BSC042N03SG
BSC042N03SGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH9025L,115
仓库库存编号：
PH9025L,115-ND
别名：934061158115
PH9025L T/R
PH9025L T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名：IRF3704STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名：IRF3711STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7603TRPBF
仓库库存编号：
IRF7603TRPBFCT-ND
别名：IRF7603TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03LSGINCT
BSC100N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N03LGXT
仓库库存编号：
IPD135N03LGXTCT-ND
别名：IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZCPBF
仓库库存编号：
IRLR7807ZCPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7811WCPBF
仓库库存编号：
IRLR7811WCPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号：
IRFU3709Z-701P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716SPBF
仓库库存编号：
IRL3716SPBF-ND
别名：SP001568304
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR4343-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR9343-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Ta） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7833CPBF
仓库库存编号：
IRLR7833CPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7833-701PBF
仓库库存编号：
IRLU7833-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7843-701PBF
仓库库存编号：
IRLU7843-701PBF-ND
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