产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(6432)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(6432)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(477)
Central Semiconductor Corp(6)
Comchip Technology(2)
Diodes Incorporated(429)
Fairchild/ON Semiconductor(638)
Infineon Technologies(1735)
Micro Commercial Co(1)
Microchip Technology(52)
Nexperia USA Inc.(234)
NXP USA Inc.(145)
ON Semiconductor(760)
Panasonic Electronic Components(19)
Renesas Electronics America(111)
Rohm Semiconductor(56)
Sanken(72)
STMicroelectronics(165)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Texas Instruments(85)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(153)
Vishay Siliconix(1057)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO300N03S
仓库库存编号：
BSO300N03SINCT-ND
别名：BSO300N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP296L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP296L6327INCT
BSP296L6327INCT-ND
BSP296XTINCT
BSP296XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP316PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP316PL6327
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP89L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP89L6327
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS123L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS123L6327
BSS123L6327INCT
BSS123L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS138NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS138NL6327
BSS138NL6327INCT
BSS138NL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6327
仓库库存编号：
BSS138WE6327INCT-ND
别名：BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728N
仓库库存编号：
BSS7728NINCT-ND
别名：BSS7728NINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW
仓库库存编号：
BSS84PWINCT-ND
别名：BSS84PWINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS87L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS87L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS87L6327
BSS87L6327INCT
BSS87L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA G
仓库库存编号：
IPB03N03LAGINCT-ND
别名：IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号：
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名：IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA G
仓库库存编号：
IPB04N03LAGINCT-ND
别名：IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LB G
仓库库存编号：
IPB05N03LBGINCT-ND
别名：IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB070N06L G
仓库库存编号：
IPB070N06LGINCT-ND
别名：IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB085N06L G
仓库库存编号：
IPB085N06LGINCT-ND
别名：IPB085N06LG
IPB085N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB110N06L G
仓库库存编号：
IPB110N06LGINCT-ND
别名：IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
型号：
IPB13N03LB G
仓库库存编号：
IPB13N03LBGINCT-ND
别名：IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
238
239
240
241
242
243
244
245
246
247
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
