产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661-E3
仓库库存编号:
2N6661-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JAN02
仓库库存编号:
2N6661JAN02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JTVP02
仓库库存编号:
2N6661JTVP02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JTX02
仓库库存编号:
2N6661JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JTXL02
仓库库存编号:
2N6661JTXL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JTXP02
仓库库存编号:
2N6661JTXP02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661JTXV02
仓库库存编号:
2N6661JTXV02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P
仓库库存编号:
VQ1004P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-2
仓库库存编号:
VQ1004P-2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
型号:
VQ1004P-E3
仓库库存编号:
VQ1004P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3A(Ta),18A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2210
仓库库存编号:
785-1708-5-ND
别名:785-1708-5
AOI2210-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.5A(Ta),13A(Tc) 8.3W(Ta),36.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2210L
仓库库存编号:
785-1713-5-ND
别名:785-1713-5
AOTF2210L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),29A(Tc) 4.1W(Ta),25W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7403L_001
仓库库存编号:
AON7403L_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD425_001
仓库库存编号:
AOD425_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-03INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-03INCT
IPB100N06S3L-03XTINCT
IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 66A(Tc) 138W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-55A,118
仓库库存编号:
BUK9616-55A,118-ND
别名:934056023118
BUK9616-55A /T3
BUK9616-55A /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10.3A(Tc) 33W(Tc) D2PAK
型号:
PHB11N06LT,118
仓库库存编号:
PHB11N06LT,118-ND
别名:934055182118
PHB11N06LT /T3
PHB11N06LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 107W(Tc) D2PAK
型号:
PHB78NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHB78NQ03LT,118-ND
别名:934056889118
PHB78NQ03LT /T3
PHB78NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 115W(Tc) DPAK
型号:
PHD110NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD110NQ03LT,118-ND
别名:934058125118
PHD110NQ03LT /T3
PHD110NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
PHD14NQ20T,118
仓库库存编号:
PHD14NQ20T,118-ND
别名:934057072118
PHD14NQ20T /T3
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无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 56W(Tc) DPAK
型号:
PHD21N06LT,118
仓库库存编号:
PHD21N06LT,118-ND
别名:934055349118
PHD21N06LT /T3
PHD21N06LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
PHD55N03LTA,118
仓库库存编号:
PHD55N03LTA,118-ND
别名:934056764118
PHD55N03LTA /T3
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产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 68.9A(Tc) 111W(Tc) DPAK
型号:
PHD63NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD63NQ03LT,118-ND
别名:934057020118
PHD63NQ03LT/T3
PHD63NQ03LT/T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) DPAK
型号:
PHD66NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD66NQ03LT,118-ND
别名:934056842118
PHD66NQ03LT /T3
PHD66NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 107W(Tc) DPAK
型号:
PHD78NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD78NQ03LT,118-ND
别名:934056888118
PHD78NQ03LT /T3
PHD78NQ03LT /T3-ND
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