产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 66A(Tc) 44.6W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N06CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NS20T4
仓库库存编号:
497-6566-1-ND
别名:497-6566-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) D2PAK
型号:
PHB66NQ03LT,118
仓库库存编号:
1727-4768-1-ND
别名:1727-4768-1
568-5945-1
568-5945-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGTR-ND
别名:TSM3N80CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGCT-ND
别名:TSM3N80CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N80CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 44A(Tc) 56W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6268
仓库库存编号:
800-3748-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.7A(Tc) 30W(Tc) DPAK
型号:
TK380P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P60YRQCT-ND
别名:TK380P60YRQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 15.7A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH4007SPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH4007SPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH4007SPSQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK560P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK560P65YRQCT-ND
别名:TK560P65YRQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 65A(Tc) 107W(Tc) Power56
型号:
FDMS86369_F085
仓库库存编号:
FDMS86369_F085CT-ND
别名:FDMS86369_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 22A(Tc) 56W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN050-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7212-1-ND
别名:1727-7212-1
568-9703-1
568-9703-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 106W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7660-100A,118
仓库库存编号:
1727-7172-1-ND
别名:1727-7172-1
568-9657-1
568-9657-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB380CP ROGTR-ND
别名:TSM60NB380CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB380CP ROGCT-ND
别名:TSM60NB380CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB380CP ROGDKR-ND
别名:TSM60NB380CP ROGDKR
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7488TRPBF
仓库库存编号:
IRF7488TRPBFCT-ND
别名:IRF7488TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB4NK60ZT4
仓库库存编号:
497-2486-1-ND
别名:497-2486-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 137W(Tc) D2PAK
型号:
BUK765R3-40E,118
仓库库存编号:
1727-7255-1-ND
别名:1727-7255-1
568-9884-1
568-9884-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK290P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK290P60YRQCT-ND
别名:TK290P60YRQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9.7A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK380P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P65YRQCT-ND
别名:TK380P65YRQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P65W,RQ
仓库库存编号:
TK7P65WRQCT-ND
别名:TK7P65WRQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001276050
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.4A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD5NK50ZT4
仓库库存编号:
497-3520-1-ND
别名:497-3520-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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