产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 123A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8403
仓库库存编号:
IRAUIRFS8403-ND
别名:IRAUIRFS8403
SP001518060
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-ND
别名:IRAUIRFS8408
SP001521164
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408-7P
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-7P-ND
别名:IRAUIRFS8408-7P
SP001518804
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8409
仓库库存编号:
IRAUIRFS8409-ND
别名:IRAUIRFS8409
SP001517498
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401
仓库库存编号:
IRAUIRFR8401-ND
别名:IRAUIRFR8401
SP001518132
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 99W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8403
仓库库存编号:
IRAUIRFR8403-ND
别名:IRAUIRFR8403
SP001517580
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 163W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8405
仓库库存编号:
IRAUIRFR8405-ND
别名:IRAUIRFR8405
SP001519800
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6
仓库库存编号:
IPD60R600P6CT-ND
别名:IPD60R600P6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名:SP000931528
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名:SP000931532
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN3R9-60XSQ
仓库库存编号:
568-11430-5-ND
别名:568-11430-5
934068135127
PSMN3R9-60XSQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 108V 100A(Tj) 263W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN8R5-108ESQ
仓库库存编号:
568-11432-5-ND
别名:568-11432-5
934068134127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号:
BUK761R5-40EJ-ND
别名:934067767118
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名:SP001100620
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
别名:SP001100622
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R2K8CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3206TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3206TRLCT-ND
别名:AUIRFS3206TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 51.5A(Tc) 46W(Tc) TO-220F-3
型号:
PSMN7R6-60XSQ
仓库库存编号:
568-12475-ND
别名:568-12475
934069171127
PSMN7R6-60XS,127
PSMN7R6-60XSQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),93A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF7171MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7171MTRPBFCT-ND
别名:IRF7171MTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Ta),105A(Tc) 3.8W(Ta),132W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7188TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7188TRPBFCT-ND
别名:IRFH7188TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001271058
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA1-ND
别名:SP001271052
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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