产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44NS
仓库库存编号：
AUIRFZ44NS-ND
别名：SP001521658
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 143W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLS3114Z
仓库库存编号：
AUIRLS3114Z-ND
别名：SP001516760
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号：
IRF3710ZGPBF-ND
别名：SP001564604
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF4104GPBF
仓库库存编号：
IRF4104GPBF-ND
别名：SP001571350
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 58A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7514-60E,127
仓库库存编号：
568-9836-5-ND
别名：568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK751R6-30E,127
仓库库存编号：
568-9837-5-ND
别名：568-9837-5
934066478127
BUK751R630E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号：
568-9840-5-ND
别名：568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 293W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号：
568-9842-5-ND
别名：568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号：
568-9844-5-ND
别名：568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E1R6-30E,127
仓库库存编号：
568-9848-5-ND
别名：568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E4R0-80E,127
仓库库存编号：
568-9854-5-ND
别名：568-9854-5
934066516127
BUK7E4R080E127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70.4A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN4R6-100XS,127
仓库库存编号：
568-10158-5-ND
别名：568-10158
568-10158-5
568-10158-ND
934067065127
PSMN4R6-100XS,127-ND
PSMN4R6100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4510GPBF
仓库库存编号：
IRFB4510GPBF-ND
别名：SP001572362
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
AUIRFR4292
仓库库存编号：
AUIRFR4292-ND
别名：SP001520304
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6215S
仓库库存编号：
AUIRF6215S-ND
别名：SP001520176
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218S
仓库库存编号：
AUIRF6218S-ND
别名：SP001516490
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF5210S
仓库库存编号：
AUIRF5210S-ND
别名：SP001519218
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），184A（Tc） 3.3W（Ta），94W（Tc） DIRECTFET L6
型号：
IRF7738L2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7738L2TRPBFTR-ND
别名：IRF7738L2TRPBFTR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
型号：
IRF7737L2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7737L2TRPBFTR-ND
别名：IRF7737L2TRPBFTR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3607-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 57A（Tc） 360W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4332-203PBF
仓库库存编号：
IRFP4332-203PBF-ND
别名：SP001556764
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607TRL701P
仓库库存编号：
IRFU3607TRL701PTR-ND
别名：IRFU3607TRL701PTR
SP001557718
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名：IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名：SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 49A（Tj） 55W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN8R5-100XSQ
仓库库存编号：
568-10162-5-ND
别名：568-10162-5
934067377127
PSMN8R5100XSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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